液－固转变中金属结构的遗传特征研究

窄禁带半导体的杂质缺陷问题一直是国际学术界十分关注的重要学术问题,它对于红外探测器，特别是焦平面探测器阵列的制备起着决定性的作用。本课题选择人为控制掺杂的样品，采用红外光致发光、红外椭圆偏振和红外光谱测量以及电学测量等方法，结合低温、磁场等条件，围绕V族等在HgCdTe器件中影响较大的重要杂质展开研究。