光控半导体器件非平衡特性研究

基本信息
批准号:69671013
项目类别:面上项目
资助金额:9.00
负责人:周世平
学科分类:
依托单位:上海大学
批准年份:1996
结题年份:1999
起止时间:1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:周世平,徐得名,苏勇,吴祥应,牛金海
关键词:
物理模型外部注入非平衡态
结项摘要

细致考虑了光生载流子的扩散-复合过程及表面复合效应,严格求解电荷连续性方程,给出光生载流子空间分布形态。重点考虑光照下耗尽型镓铝砷/砷化镓高电子迁移率晶体管的输运行为。在电荷控制模型框架下,综合光压效应,分析了光照对器件夹断电压、二维电子气浓度、能带结构的调控机制和过程,建立起相应器件的物理模型较完整的框架。提出并实验研制一种新的介质谐振器光调谐结构,频率可调谐范围达86兆赫。基于Gor'kov微观理论,从群论分析角度论述高温超导体中的混合配对态存在性,并分析了外磁场中材料的非平衡输运过程及对光波、电磁波的响应行为。在国内外重要学术刊物上发表论文8篇(皆为SCI/EI收录)。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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