点接触中非平衡态的量子输运理论

采用3种不同格林函数方法，研究了量子点等低维介观结构中电子强关联对电导性质的影响，以及低温下无序的双量子环中磁导涨落的特性。研究发现电子玻色子相互作用导致电导的边带峰，对应吸收或发射玻色子。边带峰高度敏感地依赖于玻色子电子耦合常数的大小。温度升高明显降低电导峰值。低温下在电子半占满状态附近，Hubbard电子相互作用驱动一个从金属到反铁磁绝缘体的相变。通过国际合作，借助于巨型计算机我们得到强Hubbard电子相互作用对无序的双量子环中的磁导涨落的影响。重现了实验上早已观察到的磁导涨落的复杂结构，对前人的理论结果作出了较大的改进。上述研究是制备新一代量子电子器本的基础，对于制造新型激光器和量子计算机有实际应用意义。