新型低维磁敏材料的制备、微结构及电磁性能研究

用电化学方法在具有纳米孔的多碳薄膜上制备出直径从50-400nm的Co、Ni、Fe线阵列，研究了沉积参数对线的结构和磁性的影响，初步获得制备单晶纳米线的沉积条件。首次利用磁场中沉积实现晶粒的定向生长，获得垂直膜面磁各向异性和大大增加的矫顽力。用溅射法制备了Co（Fe）-Al2O3（SiO2Cr2O3）金属—氧化物颗粒膜，研究了工艺—微结构—隧道磁电阻（（TMR）间的关系，在1.3T磁场下，室温TMR为-7%，在4.2K和0.6T下为-16%，达国际报道水平。首次在Co-Cr2O3颗粒膜中获得TMR（-5%）及正的磁电阻。观察到颗粒间互作用对TMR的影响。穆斯堡尔谱研究发现Fe-SiO2膜呈垂直磁各向异性，Fe颗粒大小满足对数正则分布。TMR结果证实Inoue理论模型的正确性。该工作对制备具有重直磁各向异性及TMR的材料有较大参考价值。