短波长发光材料和器件有着广泛而迫切的应用需求。本项研究,运用MOCVD技术在蓝宝石衬底上,生长InGaAIN四元系量子阱结构,系统研究InGaAIN生长过程和发光特性,探讨高质量InGaAIN四元系合金短波长发光层生长方法;研究AHnGaN多量子阱结构所特有的短波长发光机理,为实现高效率的短波长发光器件提供基础。
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数据更新时间:2023-05-31
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