三方畸变对FeCo合金薄膜自旋取向的调制及其磁各向异性研究

垂直磁记录技术对于实现超高密度信息记录具有巨大的应用价值。开发新型的垂直磁记录介质是目前的研究热点之一。四方畸变使FeCo合金薄膜的磁各向异性能大大提高，同时保持高的饱和磁化强度。三方畸变将使体系的对称性进一步降低，因此在理论上获得更高的磁各向异性能是可能的。本项目拟采用磁控溅射和分子束外延法制备Fe1-xCox/Au(111)和Fe1-xCox/Cu(111)薄膜，研究Fe1-xCox合金薄膜的成份和磁性层、衬底层及插层厚度对FeCo薄膜的磁各向异性能、饱和磁化强度、矫顽力、相变温度等内禀磁性和技术磁性影响规律。同时结合理论计算，研究电子结构杂化影响自旋-轨道耦合的变化规律，弄清三方畸变影响自旋取向的物理机制，最终制备出具有大的磁各向异性能且易轴垂直于膜面的FeCo合金薄膜，加快其成为超高密度垂直磁记录介质的实用化进程。

垂直磁记录技术对于实现超高密度信息记录具有巨大的应用价值。开发新型的垂直磁记录介质是目前的研究热点之一。四方畸变使FeCo 合金薄膜的磁各向异性能大大提高，同时保持高的饱和磁化强度。三方畸变将使体系的对称性进一步降低，因此在理论上获得更高的磁各向异性能是可能的。本项目拟采用磁控溅射和分子束外延法制备Fe1-xCox/Au(111)和Fe1-xCox/Cu(111)薄膜，研究Fe1-xCox 合金薄膜的成份和磁性层、衬底层及插层厚度对FeCo 薄膜的磁各向异性能、饱和磁化强度、矫顽力、相变温度等内禀磁性和技术磁性影响规律。同时结合理论计算，研究电子结构杂化影响自旋-轨道耦合的变化规律，弄清三方畸变影响自旋取向的物理机制，最终制备出具有大的磁各向异性能且易轴垂直于膜面的FeCo 合金薄膜，加快其成为超高密度垂直磁记录介质的实用化进程。. 本项目采用磁控溅射法制备了不同取向的FeCo/Au多层膜，利用X射线小角衍射确定样品的调制结构和织构，利用振动样品磁强计确定样品的磁各向异性。研究了FeCo成份变化、厚度变化、以及Au插层厚度变化对垂直磁各向异性的影响。阐明了界面应力影响垂直磁各向异性的物理机理。