稀土锰基氧化物体系室温及低场磁电阻增强效应
基本信息
批准号：50272006
项目类别：面上项目
资助金额：21.00
负责人：严纯华
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：黄云辉,罗锋,李晓航,宋威
关键词：
稀土锰基氧化物复合体系磁电阻增强效应
结项摘要
解决室温低场磁电阻效应是磁电阻材料研究的核心问题。本项目拟在ABO3型稀土锰基氧化物体系基础上，构筑无机一无机、无机-高分子等两相纳米复合体系，在A位或B位进行特殊离子掺杂，以及对O进行S、Se或Te的替代，通过改善隧穿效应或双交换机制，使得在室温附近或较低磁场下磁电阻效应具有明显增强，为这类材料的应用打下基础。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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