IGBT串联平衡化控制策略研究

基本信息
批准号:50777058
项目类别:面上项目
资助金额:34.00
负责人:温家良
学科分类:
依托单位:中国电力科学研究院有限公司
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:查鲲鹏,汤广福,魏晓光,丁冠军,庞辉,杨晓楠,杨杰
关键词:
串联损耗平衡化IGBT电压平衡化门极控制技术
结项摘要

随着自关断大功率电力电子器件向高电压场合,如高压高频脉冲功率开关、轻型直流输电等领域不断扩展应用,器件直接串联已避不可免。器件直接串联时,开通\关断时间等的差异将造成动态\静态电压分布不均衡,严重时将造成器件击穿;器件开关损耗和通态损耗的不同,也会造成温度分布不均衡,最终导致器件烧毁。对于新型电力电子器件,如IGBT等,工作频率越来越高,传统的被动静态和动态均压技术已难以满足要求,必须研究其它技术路线。.本课题首先进行IGBT开关动态过程及门极控制特性,损耗计算方法等的研究,进行IGBT开关过程等效电路、数学模型,损耗数学模型及仿真研究,对IGBT串联应用时,电压和损耗不平衡的产生机理进行深入研究,进行基于门极控制技术的IGBT开关过程中电压和损耗双平衡化控制策略和方法研究及其仿真和试验验证,实现IGBT串联应用中基础理论研究和若干关键技术突破。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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