本项目针对当前常用的中子照相荧光屏的发光材料颗粒较大、限制图象空间分辨率的瓶颈问题,拟采用掺杂Ge纳米晶(nc-Ge)材料来制备高发光效率、高空间分辨率的中子照相荧光屏。已发现nc-Ge有光致、电致和阴极射线电子致发光现象,是否有中子致发光现象尚不清楚。研究中拟通过中子嬗变掺杂的方法使nc-Ge掺杂,以通过杂质态来控制其发光特性,并降低nc-Ge自吸收,进一步提高其发光效率和发光强度满足中子照相的
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数据更新时间:2023-05-31
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