高灵敏响应近零微弱外磁场的磁敏新材料及机理研究

基本信息
批准号:50871104
项目类别:面上项目
资助金额:40.00
负责人:方允樟
学科分类:
依托单位:浙江师范大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:许启明,郑金菊,孙怀君,李隆,杨全民,林根金,叶慧群,施方也,郑建龙
关键词:
近零磁场高灵敏度巨磁阻抗效应纳米晶合金材料芯状晶化结构。"尖刺"巨磁阻抗效应机理
结项摘要

本课题组在经专门处理的FeCo基合金薄带中观察到了一种对近零磁场高灵敏响应(2440%/安 每米)的新型巨磁阻抗效应- - "尖刺"巨磁阻抗效应(TGMI)。这种TGMI效应实现了巨磁阻抗效应灵敏区向零磁场的逼近,有望开发对近零微弱磁场敏感的新型磁敏传感器。本项目将采用单辊快淬和Taylor法,制备系列组元和配比的非晶合金薄带和细丝,用专门的电流退火工艺制备非晶外层包裹纳米晶内芯的芯状结构样品;将磁控溅射法制得的合金薄膜用脉冲激光和电子束退火,制备局域晶化样品;用阻抗仪测量用上述方法制备的系列样品在系列条件下的GMI效应曲线,并用AFM断口介观结构观测法和TEM技术研究晶粒团聚行为,用高分辨同步辐射技术研究芯状晶化结构,用XRD和高分辨TEM技术研究材料相结构和微结构。综合分析实验结果后,归纳抽象出TGMI效应的特性及机理,为高灵敏响应近零微弱磁场的磁敏传感器开发提供技术支撑和理论指导。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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