AMnO3 (A=Gd,Tb,Dy,Ho)磁电薄膜中应力效应的研究

基本信息
批准号:10674080
项目类别:面上项目
资助金额:34.00
负责人:张留碗
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:2006
结题年份:2009
起止时间:2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:余京智,汪春昌,吴云龙,谢冠林,刘伟,姚致远
关键词:
磁电效应钙钛矿型氧化物单相磁电材料薄膜
结项摘要

磁电材料是近年来发展迅速的先进功能材料中的一大类最重要的代表,在敏感、传感、信息存取等方面有很大的应用价值。而钙钛矿型氧化物单相磁电材料的研究则是两年来凝聚态物理和材料科学研究的新的亮点。申请者拟用激光脉冲沉积法在不同基片上制备高质量的AMnO3(A=Gd, Tb, Dy, Ho)磁电薄膜,用扫描电镜、透射电镜、原子力显微镜、差反射谱等手段对薄膜的结构进行表征,分析薄膜体内和界面的应力状态,同时采用光学、电学和磁学等各种测量方法并结合理论计算模拟,研究不同应力状态下薄膜的介电特性和磁性,建立起薄膜的微结构和物性之间的关系,从而弄清应力影响AMnO3磁电薄膜电、磁特性的规律。应力是磁电材料电、磁耦合的媒介,研究应力对磁电薄膜特性的影响,有助于更好理解磁电效应的本质,为探索具有更高工作温度、更强磁电效应的单相磁电材料提供指导。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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