硅基BaTi2O5铁电薄膜的脉冲激光沉积、结构调控及其介电性能

以硅基BaTi2O5铁电薄膜的脉冲激光沉积（PLD）、结构调控及其介电性能为研究目标，利用PLD技术在Si基片上制备BaTi2O5薄膜，重点研究沉积工艺（激光能量、氧分压、沉积温度、基片-靶距等）对薄膜的物相、取向、成分、形貌和微观结构的影响；研究缓冲层材料对BaTi2O5薄膜的b轴取向或外延生长的影响，解明薄膜的择优取向机理；系统测试硅基BaTi2O5薄膜的性能，研究薄膜的取向、形貌、成分和微观结构对其介电、铁电和光学性能的影响，建立薄膜的组成、结构与性能之间的相互关系；研究后续热处理对BaTi2O5薄膜的介电性能的影响，进一步优化薄膜性能；通过适宜的沉积工艺与结构控制方法，获得高b轴取向、近化学计量比、物相单一、介电和铁电性能良好的硅基BaTi2O5薄膜。预期成果将填补BaTi2O5薄膜研究领域的空白，为铁电随机存储器的应用提供一种环境友好的铁电新材料，具有重要的理论意义与应用价值。