固相外延生长β-FeSi2及Fe/Si体系表面界面的研究

在国际上首次用多层膜结构（MLS）研究β-FeSi2体系的界面反应，确定了反应相序和β-FeSi2的形成条件，实验表明MLS不仅有利於研究界面反应，而且有益於器件工艺。我们设计和制备了符合FeSi2化学计量的MLS样品，经适当条件的热退火制得的β-FeSi2，其生长温度比文献采用的单层膜结构降低了约150℃，晶体的电学性质纵向和横向分布都很均匀，衬底与外延层间的界面清晰且为突变结，光学测量证实其与直接带隙窄带半导体，可確信其在光电子领域中的应用前景。着眼於器件，尚须提高迁移率和降低衬底与外延层间的界面缺陷密度。我们完成了预期计划，并跟踪研究了研究过程中出现的新问题。本项工作固体物理和薄膜生长技术都具有一定的创新意义和应用价值。