用于强磁场的位置灵敏型探测器技术研究

基本信息
批准号:11175200
项目类别:面上项目
资助金额:68.00
负责人:章志明
学科分类:
依托单位:中国科学院高能物理研究所
批准年份:2011
结题年份:2015
起止时间:2012-01-01 - 2015-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:戴旭文,赵建兵,李鲲鹏,李婷,王英杰,成国栋
关键词:
SiliconPhotomultiplier位置灵敏探测器磁场核成像PETMRI
结项摘要

针对强磁场下射线成像的应用需求,对基于硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)的位置灵敏探测器技术进行研究。研究基于SiPM的探测器在不同条件下的计数能力、时间响应能力、能量分辨能力、位置分辨能力等基本性能,设计研制结构紧凑、可在强磁场下工作的、固有位置分辨率优于2.0mm、时间分辨率优于3ns的位置灵敏型探测器及其前端电子学,并在核磁共振仪的强磁场内测试双探头符合成像效果,使其综合性能达到PET-MRI双模态成像的要求,并且能够应用于空间探测、高能物理、公共安全等领域。

项目摘要

本项目针对PET-MRI双模成像系统等强磁场下射线成像的应用需求,研究了硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)在不同条件下的计数能力、时间响应能力、能量分辨能力、位置分辨能力等基本性能。研究结果表明,配合专门设计的读出电路,SiPMR的脉冲恢复时间约100ns,计数能力可达百万cps以上;其增益达到百万倍以上,增益均匀性优于80%;能量线性与单位面积内的微像素数相关,当微像素数为35um时,在30keV-1.33MeV范围内线性良好;单通道SiPM耦合LYSO晶体条能量分辨率可优于10%;研究总结了在-35℃-+50℃范围内SiPM雪崩电压随温度变化规律,便于探测器增益补偿。在此基础上,研制了基于SiPM的位置灵敏型探测器,每个探测器的闪烁体阵列像素数为13×13,单个探测器的面积达到26mm×26mm,测试得到本征位置分辨率为1.5mm,双探测器符合时间分辨率为2.6ns。所研制的探测器经测试可在9.4T磁场下工作,性能无明显变化,且结构紧凑,面积可根据需求设计,位置分辨和时间分辨率具有进一步提高的空间。使用所研制的SiPM位置灵敏型探测器组建了双模块成像实验平台,成功进行了Na-22点源、Ge-68线源以及FDG phantom符合成像,结合3DOSEM算法,实现了图像重建,达到了PET扫描仪等射线成像系统的应用需求,为新一代射线成像系统的研究和研制提供了关键数据和核心部件。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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