GaN基量子阱短波长激光器腔结构研究
基本信息
批准号：60276034
项目类别：面上项目
资助金额：30.00
负责人：章蓓
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：杨海艳,张会珍,杨志坚,金艳波,金春来,隋文辉,任谦
关键词：
GaN基量子阱激光器短波长半导体激光器激光器二极管腔镜面
结项摘要
本项目拟开展蓝-紫光波段宽禁带半导体GaN基量子阱激光器腔结构研究，提出基于光子晶体概念的制备高质量腔镜面的新途径。充分利用聚焦离子束刻蚀FIBE技术的优越性，开展抛光的和基于GaN/空气的准一维或二维光子晶体的腔结构的研究，并制备和研究新型GaN基量子阱激光器，为实现我国GaN基LD零的突破以及集成化开辟一条新路。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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