用磁控反应溅射和退火方法制备纳米Si-SiNx复合薄膜,研究材料制备工艺、微观结构和非线性光学效应。研究磁控反应溅射和激光晶化方法制备Si/SiNx多量子阱的生长技术,制备不同结构形态的Si/SiNx多量子阱,研究量子阱结构和形态与非线性光学效应增强特性的关系。研究Si/SiNx非对称耦合多量子阱的二阶非线性光学效应。采用传输矩阵方法理论计算多种结构和形态多量子阱中激子的物理特性,结合实验讨论Si/SiNx多量子阱中激子行为及其对非线性光学性质的增强效应与量子阱结构和形态的相关依赖性。通过优化设计其结构形态和优化制备工艺得到具有优良非线性光学特性的纳米Si-SiNx复合薄膜和Si/SiNx多量子阱材料,在发展新型的光电子器件方面有很好的应用前景。
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数据更新时间:2023-05-31
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