基于霍尔自旋天平结构的新型自旋电子材料及物理机制研究

基本信息
批准号:51371027
项目类别:面上项目
资助金额:80.00
负责人:于广华
学科分类:
依托单位:北京科技大学
批准年份:2013
结题年份:2017
起止时间:2014-01-01 - 2017-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李建伟,刘洋,刘帅,张静言,李佳吾,陈喜,刘亦玮
关键词:
磁性薄膜磁性微结构
结项摘要

This project aims at the fundamental problems that will be encountered in realization of a brand new spintronic elements based on the extraordinary Hall balance (EHB). The mechanism and the magnetic anisotropy in the multilayered structures with metal/insulator interface will be studied. Finally the EHB films with large four-level-output EHE signals, low coercivity, and high thermal stability will be developed.The Key scientific issues include: (1) How to tune the magnetic anisotropy of the EHB materials? (2) How to effectively enhance the extraordinary Hall effect in EHB? Moreover,we study how to realize the electric field assisted magnetization switching (VIMS) in EHB and reveal the relationship between interfacial microstructures, chemical states, and the corresponding physical properties.

本项目力图解决在实现新型以霍尔自旋天平材料为基础的自旋电子学元件所遇到的一些基础性的问题。深入理解霍尔自旋天平材料中反常霍尔效应和磁各向异性的机理,并建立相关模型;优化出可以实现高输出信号、低矫顽力、高热稳定性的霍尔自旋天平材料。拟解决的关键科学问题是:(1)如何调控霍尔自旋天平材料磁各向异性?(2)如何提高铁磁层的反常霍尔效应?界面散射如何作用于反常霍尔效应?霍尔自旋天平体系中内禀机制和外禀机制对反常霍尔效应的贡献?本项目还拟研究利用电场来辅助操控霍尔自旋天平结构中的磁矩方向,揭示界面微结构、原子化学状态与相应物理效应之间的关系。

项目摘要

本项目力图解决在实现新型以霍尔自旋天平材料为基础的自旋电子学元件所遇到的一些基础性的问题,深入理解霍尔自旋天平材料中反常霍尔效应和磁各向异性的机理,优化出可以实现高输出信号、低矫顽力、高热稳定性的霍尔自旋天平材料。主要研究的科学问题是:弄清如何调控霍尔自旋天平材料磁各向异性、以及如何提高铁磁层的反常霍尔效应,阐明其调控的物理机制。主要研究成果如下:(1)控制界面微结构提高霍尔自旋天平材料(自旋阀)的磁性和输运性能,本研究设计并制备了一种霍尔自旋天平材料,其三明治结构为Pt(0.6)/[Co(0.4)/ Pt(1)]3/Co(0.4)/Pt(0.3)/NiO(1.1)/Pt(0.3)/[Co(0.4)/Pt(0.8)]4 (in nm),通过用CoO包覆三明治结构改为CoO(3)/[Pt(0.6)/Co(0.4)]4 /Pt(0.3)/NiO(1)/[Co(0.4)/Pt(0.6)]4 /CoO(3) (in nm),成功地使得霍尔磁电阻值提高了302%。通过对NiO的厚度进行一系列的优化,使得[Co/Pt]3周期层之间的层间耦合作用逐步减弱,同时利用不同厚度的NiO与[Co/Pt]3周期层之间的界面耦合作用不同,使得每一个[Co/Pt]3周期层的矫顽力逐个等幅增加,在外场作用下多个[Co/Pt]3 周期层的磁矩逐个翻转。从而在该材料体系中实现基于反常霍尔效应的多组态—人工量子霍尔状态。(2)调控金属/氧化物界面化学状态提高垂直磁各向异性和相关输运性能。通过调控Co/ MgO、FePt/MgO和CoFeB/MgO界面化学状态,可以获得很好的垂直磁各向异性。(3)调控界面电子结构提高垂直磁各向异性和相关输运性能。在Ta/CoFeB/MgO /Ta多层膜中的CoFeB/MgO界面处引入极少量的Fe原子,改变界面处的电子结构,从而调控薄膜的磁各向异性。在项目执行期间共发表学术论文27篇。

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究

基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究

DOI:10.7498/aps.67.20171903
发表时间:2018
2

圆柏大痣小蜂雌成虫触角、下颚须及产卵器感器超微结构观察

圆柏大痣小蜂雌成虫触角、下颚须及产卵器感器超微结构观察

DOI:10.3969/j.issn.1674-0858.2020.04.30
发表时间:2020
3

高温合金线性摩擦焊接头疲劳裂纹扩展有限元分析

高温合金线性摩擦焊接头疲劳裂纹扩展有限元分析

DOI:10.7527/s1000-6893.2021.25004
发表时间:2022
4

高度近视黄斑裂孔内界膜的超微结构及生物力学性能研究

高度近视黄斑裂孔内界膜的超微结构及生物力学性能研究

DOI:10.3760/cma.j.cn115989-20190612-00257
发表时间:2020
5

大直径磁性液体密封新结构的优化设计

大直径磁性液体密封新结构的优化设计

DOI:10.13543/j.bhxbzr.2022.03.010
发表时间:2022

于广华的其他基金

批准号:51331002
批准年份:2013
资助金额:304.00
项目类别:重点项目
批准号:51071023
批准年份:2010
资助金额:37.00
项目类别:面上项目
批准号:50871014
批准年份:2008
资助金额:35.00
项目类别:面上项目
批准号:50471093
批准年份:2004
资助金额:27.00
项目类别:面上项目
批准号:50271007
批准年份:2002
资助金额:28.00
项目类别:面上项目
批准号:50671008
批准年份:2006
资助金额:28.00
项目类别:面上项目
批准号:51871018
批准年份:2018
资助金额:60.00
项目类别:面上项目

相似国自然基金

1

基于霍尔天平结构新型多组态存储材料与物理研究

批准号:11504019
批准年份:2015
负责人:张静言
学科分类:A2007
资助金额:24.00
项目类别:青年科学基金项目
2

基于反常霍尔效应的新型自旋电子材料微结构调控和电磁性能

批准号:51331002
批准年份:2013
负责人:于广华
学科分类:E0107
资助金额:304.00
项目类别:重点项目
3

量子霍尔物理中的自旋现象研究

批准号:10974240
批准年份:2009
负责人:李永庆
学科分类:A2002
资助金额:42.00
项目类别:面上项目
4

反铁磁材料的自旋霍尔效应及自旋输运性质的研究

批准号:51502314
批准年份:2015
负责人:商恬
学科分类:E0205
资助金额:20.00
项目类别:青年科学基金项目