从头量子力学计算研究在纳米尺度下的电子输运

纳米尺度下的电子器件,比如单分子电子器件、自旋电子器件等等非常有希望成为下一代新型的电子器件以替代目前的半导体微电子器件。而如何正确地计算通过象单个分子这样的纳米系统的电子输运是一个急待解决的问题，也是当前计算量子化学和物理上一个新的研究中心之一。在本项研究计划中我们提出两个新的计算方案以弥补当前所用的两种方法即Keldysh的非平衡格林函数方法和多重散射Lippmann-Schwinger方程方法的缺陷。我们的方案分别基于层状格林函数和系统的复能带电子结构计算。本项目的完成将对理解纳米系统的电子输运，进而纳米材料在电子学等等领域的应用具有重大的意义。