杂质原子和注入缺陷的相互作用机理研究

增速扩散和杂质原子析出是难于得到优良超浅结的主要原因，这两个原因都和杂原子与离子注入缺陷的相互作用有关，本项目将主要研究杂质原子与离子注入缺陷的相互作用，研究增速扩散和杂质原子析出的机理，寻找制作超浅结的方法，并为超浅结工艺模拟提供基本模型，开发适用于下一代集成电路研制的工艺模拟程序。