快重离子在磁绝缘体材料中电子能损效应的研究

用能量为1GeV的Ar和2.1GeV的Kr离子，完成了几轮多层堆叠YIG试样的辐照实验，用171.2MeV的S和120KeV的H离子辐照了多层堆叠和单层C60薄膜。辐照温度分低温（195K）和室温两种情况。用倾斜样品X-光衍射（STD）、红外吸收光谱、STM、ZPE、Raman散射、穆斯堡尔谱和磁性测量，分析了快离子在YIG和C60中电子能损效应的深度分布，潜径迹形貌和相变过程。首次确定了YIG非晶化的阈电子能损值和临界辐照量；在系统分析我们和国外现有数据的基础上，提出了非晶化分数（或损伤相）Fp与电子能损Se和辐照量φt之间的依赖关系，即发现了Fp与Se和Inφt的乘积呈线性关系。在H离子辐照的C60样品中，首次发现了电子能损的退火效应，致使C60晶态→非晶态转变过程中，存在一个石墨化的中间过程。