一种可擦写的全光高速存储器和全光包交换技术
基本信息
批准号：60272010
项目类别：面上项目
资助金额：23.00
负责人：吴重庆
学科分类：
依托单位：北京交通大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：盛新志,王健,刘爱民,董晖,傅松年,张广思,刘学,刘彦辉
关键词：
光存储器全光分组交换网光缓存器
结项摘要
波长交换WMD全光网因波长粒度过大限制了在光交换方面的应用。全光分组交换网将是下一代全光网。光缓存和存储技术是其关键技术之一。提出和研究两种新型的、适用于Gb/s以上的光缓存储器:利用两个光控光开关加双向放大器构成FP腔,和基于3x3光耦合器加反馈环构成光缓存器.经动态反馈构成可多次擦写全光存储器。并对全光包交换进行初步研究。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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