SiC RF MEMS 器件－高Q值谐振器的研究

本项目拟开展新型SiC RF MEMS元件－高Q值谐振器的研究工作，制备出可应用于高温环境的、具有高Q值高频谐振特性的SiC 谐振器。主要研究内容包括：SiC谐振器的性能模拟与结构设计、多晶3C-SiC高Q值谐振器的制备研究、谐振器真空封装工艺的研究、谐振器的性能测试和结果分析，并探索其在无线通信领域的应用。关键解决SiC谐振器的建模分析、SiC MEMS制备工艺中的难点和器件真空封装问题。.本项目的工作属于新兴交叉领域，国际上在这方面的研究刚刚起步，国内还未见报道。本项目将开辟国内SiC RF MEMS的应用基础研究领域，为我国高速发展的通信领域奠定技术基础。