采用LP-MOCVD方法,在Al2O3衬底上生长了GaN,InGaN,AlGaN,Mg:GaH,Si:GaH以及Zn:GaH,Zn;InGaN单晶薄膜,并对其生长热力学和动力学过程进行了理论和实验研究。对样品的光学、电学、结构缺陷、刻蚀和欧姆接触等特性进行了研究。在此基础上,成功地研制出GaH-based 蓝光LED。目前样管的工作电压为5-10V,工作电流10-20mA,发射波长为425-478nm,光功率为200μW。目前已发表论文15篇(有国家自然科学基金资助标注)。其中,国际学术刊物5篇,国际会议3篇,国内学术刊物7篇,获得国家发明专利一项。有些结果已达到和接近实际应用和国际水平。各项技术指标均超出了项目计划任务书的预定指标。目前,正在向产业化方向努力。
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数据更新时间:2023-05-31
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