InxGa1-xN半导体材料的发光机理研究

本项目主要采用超快时间分辨光致发光光谱学方法对InxGa1-xN合金及多量子阱材料的发光特性进行实验研究，并配合吸收光谱测量及用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描隧道显微镜等对InxGa1-xN半导体材料进行微区结构、成份等的分析和理论上对InxGa1-xN合金中光激发载流子扩散系数的计算等，弄清InxGa1-xN半导体材料的发光机理。实验上将对不同In含量样品材料不同微区的光致发光谱的温度特性、光激发强度特性等进行系统的测量，并将采用频率上变换方法对InxGa1-xN中光激发载流子的时间特性等动力学过程进行研究。本项目属于应用基础性研究，旨在揭示InxGa1-xN半导体材料的微观发光机理。鉴于InxGa1-xN广阔的应用背景，本项目的研究不仅在学术上有重要的价值，而且研究成果对III族氮化物材料的生长、器件设计及应用有着重要的指导意义。