铜氧化物超导体特定电荷浓度附近的反常电子性质研究及所需的高质量单晶的浮区法制备研究

基本信息
批准号:10574149
项目类别:面上项目
资助金额:34.00
负责人:周放
学科分类:
依托单位:中国科学院物理研究所
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:车广灿,熊季午,申彩霞,聂六英
关键词:
本征电子性质浮区法单晶生长铜氧化物超导体'魔数'电荷浓度
结项摘要

我们近年的研究发现La2-xSrxCuO4单晶的超导性质在欠掺区我们称之为'魔数'的特定空穴浓度(x=1/16、1/9)附近出现反常,并确认了分别存在不同Tc的本征超导相;同时远红外和高分辨角分辨光电子能谱实验表明体系中存在不同类型的电荷动力学行为。这些现象与铜氧化物超导体中存在的本征电子相分离和电荷有序等电荷不均匀性之间是否或如何关联,是值得进一步研究的重要问题。因此本项目以'魔数'载流子浓度附近的本征电子相及反常现象作为研究切入点,在继续研究制备实验所需的高质量大尺寸系列单晶样品基础上,利用国内外多种有力观测手段,研究铜氧化物超导体的载流子浓度-本征电子相及其行为特征-电荷有序及电子相分离之间的相互联系和相互影响。我们和合作者提出的本征超导相和电荷有序的模型正在受到关注,进一步的工作将会从实验上为高温超导机理和强关联电子体系的研究提供重要依据。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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