非平面金属酞菁作为新型高迁移率有机半导体

有机半导体的迁移率性质是目前限制有机电子器件进一步发展的一个瓶颈。平面盘状共轭分子金属酞菁性质非常稳定，但是载流子迁移率偏低。我们研究组通过近十年的努力，把性质提高到0.3平方厘米每伏秒以上，达到目前商业非晶硅的水平。研究中我们体会到，其迁移率的高低与中心配位金属类型无密切关系，而与薄膜中分子排列的规整程度和排列方式的关联更加密切。鉴于此，进一步拓展到非平面金属酞菁的探索研究。初步的结果表明，这也是一类迁移率大于0.1平方厘米每伏秒的有机半导体。本项目拟通过排列方式和规整度的控制，在非平面金属酞菁体系发展出优于目前商业非晶硅水平的有机半导体。重点探讨这类与典型高迁移率有机半导体体系堆砌特征(面对面堆砌或角对心堆砌)完全不同的体系为什么具有高迁移率性质。