高电离度离子自电离与双电子复合过程的理论研究

基本信息
批准号:19274010
项目类别:面上项目
资助金额:3.50
负责人:李世昌
学科分类:
依托单位:中国工程物理研究院
批准年份:1992
结题年份:1995
起止时间:1993-01-01 - 1995-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:韩国兴,仇阳辉,杨汉阳
关键词:
***
结项摘要

采用非相对论加相对论修正的多组态相互作用的自洽场方法详细研究与计算了多电荷离子的单激发态能级、双激发态能级,自发辐射跃迁概率及自电离概率,在国际上首次给出了由类F到类Ne和由类Ne到类Na的Ge离子及其它一些离子的双电子复合速率系数α(DR)mx为我国类Ne-Gex光激光研究达到世界先进水平及时地提供了大量急需的参数,找出了类Ln离子的α(DR)mx n≥7以上1/n(3)定标律才能成立的结论,发现了双激发态能级比较分散情况下Hagelstein近似公式不适用的原因,并提出以分组进行平均的新方法,研制了一套计算软件,成为研究此问题的有效工具。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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