半导体激光器远场分布及波束传播特性研究

基本信息
批准号:69576021
项目类别:面上项目
资助金额:7.50
负责人:曾小东
学科分类:
依托单位:西安电子科技大学
批准年份:1995
结题年份:1998
起止时间:1996-01-01 - 1998-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:曾小东,安毓英,鲍吉龙
关键词:
传播特性半导体激光器远场分布
结项摘要

建立了一种既能与实验数据准确符合又不十分复杂的半导体激光器远场分布模型。并证明了远场误差相对于源振幅包络扰动具有稳定性,这是我们方法的理论依据。通过对多只实际器件远场光强的精确测量,所获数据与理论模型符合得相当好。提出了准确计算半导体激光器光波经透镜变换的系统方法。并设计分析了半导体激光器高准直系统以及经透镜与单模光纤耦合系统,获得了与实测数据吻合的结果。利用本模型可以从远场数据较准确地计算近场分布。这对研制器件的过程有重要的意义。我们的远场方法还可推广到处理一般大解度光波的传播和衍射过程。本项目研究了成果将促进对半导体激光器传播特性的了解,为有效利用半导体激光器、准确设计光学系统打下基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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