氢、氧、氮相关缺陷的精细电子结构对下一代GLSI电路性能的影响

随着集成电路集成度的提高和新工艺的开发，缺陷态和界面过渡层的作用日益凸显，成为影响下一代MOS器件常规特性和可靠性的关键因素之一,精确表征缺陷态对新一代MOS器件特性的影响已变得极为迫切。由于量子效应越来越显著，采用新的理论方法研究缺陷特性势在必行。本课题考虑MOS器件中氢、氮和氧构成的多种缺陷态，建立能够反映实际缺陷的合理结构，用基于密度泛函理论的第一原理计算缺陷的精细电子结构，并结合量子输运理论计算缺陷态对纳米I-V特性及可靠性的影响；由相关实验数据分析特定缺陷的实验规律，建立缺陷态和界面过渡层对器件特性及可靠性影响的表征模型。本课题充分发挥微电子学、凝聚态物理、量子化学与计算物理等多学科交叉的优势，研究缺陷态对新一代纳米尺度范围内MOS器件的特性影响，获得精确表征缺陷态和界面过渡层对新一代器件常规特性和可靠性影响的模型，为新一代器件的工艺和建模提供必要的理论和实验依据。