超高压高温条件下立方氮化硼优质晶体生长
基本信息
结项摘要
我国立方氮化硼（cBN）近三十年进展不大因用镁溶媒生长工艺简单晶体质量差，至八十年代未用化合物溶媒生长工艺复杂晶体质量好成本高。本课题目的研究合金溶媒及添加剂生长优质晶体而工艺简单成本低，结果已研究出能生长透有质好cBN晶体的溶媒合金、添加剂和工艺。三种配方和工艺：1、原计划优质晶体为磨料及粒度，因成核密集，晶面不完整，没控制好，没有完成好。2.5-20υmcBN微晶、优质、晶面完整，色浅透明，转化率高，工艺稳定。正好我国“九五”计划年产300万辆汽车需大量多晶cBN刀具，这是优质原材料，3、用我们优质化处理的原料hBN向cBN转化率很高，能获得生长型多晶体，可破碎为不同粒度磨料或制工具。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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