在实验系统研制上通过软、硬件上数据压缩技术,实现了对高数据通量的有效采集,进而完善了RHEED图象检测与记录系统,使系统的探测灵敏度和性能可以满足对所生长材料的原子层量级控制生长和材料界面与表面的控制。在材料生长动力学机制方面,实验观察和研究了生长瞬态表面再构不同相与生长模式的联系,进而很好地观察和解释了生长初期所具有不同的RHEED振荡行为;在理论方面,结合上述实验结果,建立了Monte carlo动力学机制模型,通过与实验结果的比较,给出了分子束外延GaAs材料生长过程GaAs(001)的2×4表面上Ga原子迁移的各向异性对GaAs生长动力学的影响。上述研究结果在国内外学术刊物上共发表论文12篇,获评审与鉴定成果2项。
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数据更新时间:2023-05-31
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