中能耗散碎裂碰撞的研究

利用低压MOCVD技术在n+-GaAs衬底上制备了高质量的ZnCdSe-ZnSe量子阱和超晶格结构材料。通过掺杂制备了n和p型ZnSe外延层，生长了p-i-n结构的p-ZnSe-（ZnCdSe-ZnSe多量子阱）-n-ZnSe材料，制备了分立型和2×2阵列式多量子阱自电光效应器件。首次在ZnCdSe-ZnSe肖特基势垒二极管中观测电场调制的发光和受激发射以及激子和D-A对发光的蓝移和光强调制发射过程；在pn结多量子阱发光二极管中实现了室温蓝绿色电致发光；在p-i-n结构的ZnCdSe-ZnSe多量子阱自电光效应器件中观测到室温激子吸收以及由量子限制斯塔克效应引起的电光调制，在2×2阵列的ZnCdSe-ZnSe多量子阱自电光效应光学双稳器件中观测到室温光学双稳，为探索实现皮秒自电光效应光学双稳提供了实验途径和理论依据。