基于GaP晶体中耦合场量子受激散射过程的可调谐太赫兹波辐射研究

纳秒脉宽的红外泵浦光入射GaP晶体后，晶体中具有电磁特性的TO声子可以和入射光子形成耦合场量子；作为一种电磁特性的元激发，耦合场量子具有类声子和类光子的双重特性，其辐射场频率在太赫兹频段范围，这使耦合场量子本身可以辐射太赫兹频段电磁波。本课题将在以上物理思想基础上，首先研究GaP晶体的耦合场量子色散特性；其次论证通过GaP耦合场量子受激散射过程可以辐射宽带太赫兹电磁波；结合角度相位匹配及参量振荡原理，对太赫兹辐射的频率实现调谐；进而研究GaP辐射太赫兹波的有源区与THz波的远场空间分布特性关系。最终为今后实现可调谐、单色性好、波束质量高，且常温下工作的THz辐射源提供思路和依据。