超微集成电路的发展要求材料具有尽可能低的介电常数。这一领域的研究是近十年来的一个重要话题。本项目旨在通过分子设计,在共交联的聚倍半硅氧烷体系中引入热可降解基团,调节三组份交联组份的量比,在产生纳米孔的同时,保持材料的力学性能。利用一定的工艺,得到具有均匀稳定的纳米孔超低介电常数(k<2.2)薄膜。探讨影响材料中纳米孔成形及分布、介电常数及力学性能等因素,为材料在集成电路、微波通讯、吸波、机舰隐身等领域的应用提供指导。
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数据更新时间:2023-05-31
基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究
主控因素对异型头弹丸半侵彻金属靶深度的影响特性研究
基于协同表示的图嵌入鉴别分析在人脸识别中的应用
三级硅基填料的构筑及其对牙科复合树脂性能的影响
上转换纳米材料在光动力疗法中的研究进展
超低介电常数纳米多孔薄膜材料的制备和特性研究
高性能本征型超低介电常数聚酰亚胺的设计合成及机理研究
超低介电常数苯并噁嗪/氰酸酯纳米多孔复合材料的制备与性能
不含氟的低介电常数纳米孔聚降冰片烯的合成及性能研究