VO2 能够在68℃附近发生热诱导可逆半导体-金属相变;相变前后,材料的电阻率和红外透过率会发生显著变化。基于这一相变特性,VO2基单层或多层薄膜在智能窗户、光存储、热敏开关、激光防护和红外成像仿真等方面有广泛的应用前景。目前VO2薄膜主要是通过反应溅射和化学气相沉积等方法来制备。这些方法普遍存在制备成本昂贵、工艺复杂和稳定性差等问题。本研究拟开发新型溶液软化学方法制备VO2及VO2/TiO2多层
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数据更新时间:2023-05-31
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