中子和r射线幅照SiGe HBT中的深中心及其对电学性能影响
基本信息
批准号：10075029
项目类别：面上项目
资助金额：21.00
负责人：孟祥提
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈培毅,康爱国,王瑞偏,张纯,刘学济,陆金发
关键词：
GeHBT深中心辐照损伤Si
结项摘要
Si Ge/Si 技术作为第二代Si 技术，已成为半导体研究的热点之一。辐射环境中Si Ge 器件的广泛应用需要研究其粒子辐照效应。本项目拟研究Si Ge HBT 在中子和r 射线辐照后电学性能随不同Ge 含量和辐照剂量的变化以及退火恢复，确定其损伤容量和最佳退火工艺，结合辐照致深中心及其氢化钝和退火行为的测量，识别深中心的微观结构，探讨其辐照失效机理。.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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