CdS/CdTe异质结薄膜太阳电池

采用闭管真空蒸发方法制备了CdTe薄膜。对所获得的CdTe薄膜进行了十分仔细的组份、结构、电学和光学特性分析。确定了薄膜特性与淀积的源温、衬底温度和生长速率的关系，确定了符合制备太阳电池要求的CdTe薄膜的各项工艺参数。用真空蒸发和溶液生长两种方法制备了CdS薄膜，确定了沉积CdS薄膜的最佳工艺条件。选择了SnO2—ZnO材料为太阳电池的透明导电层，以Ag为太阳电池的背电极，并选择MgF2为减反射膜。在1×1cM（2）面积上获得了转换效率为5.60%的CdS/CdTe太阳电池。在选择透明导电层的过程中，对SnO2、ZnO等进行了进一步的详细研究。完成了SnO2—ZnO二元系材料和La2O3、Fe2O3的复合氧化物LaF2O3敏感特性的应用研究。利用闭管真空蒸发方法同时完成了硅的热迁移。