真空绝缘用可加工陶瓷沿面闪络现象的机理与抑制

基本信息
批准号:50777051
项目类别:面上项目
资助金额:35.00
负责人:张冠军
学科分类:
依托单位:西安交通大学
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:马新沛,李光新,赵进全,于开坤,郑楠,杨茂举,石文静
关键词:
体内过程可加工陶瓷体外过程沿面闪络陷阱参数
结项摘要

长期以来高电场下复合绝缘系统的耐电性能受绝缘材料的沿面闪络现象所限制,由此严重制约了很多电气电子系统的整体性能。探索一种适合用于真空中的高表面耐电强度材料一直是很多研究者的研究目标。申请者认为真空中固体绝缘的沿面闪络由两个过程支配,即体内(材料的表层内)过程和体外(材料的表面及表面以上)过程。本项目研究可加工陶瓷在真空中沿面闪络的光电现象,考察陶瓷的制备工艺(添加低二次电子发射率氧化物、调整晶化的温度和时间)对其电学参数(体积和表面电阻率、介电常数、表面陷阱分布及二次电子发射特性等)的影响,进而考察其电学参数、实时表面电荷分布、闪络现象之间的内在联系,并基于对体内和体外电荷行为微观过程的理论分析与动态仿真,提出表征和改善真空中沿面闪络特性的综合评价体系,并深入理解沿面闪络现象的影响因素,建立不同条件下可加工陶瓷沿面闪络的物理模型,最终达到认识新的物理现象并将之有效调控的目的。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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