强流D-T/D-D中子发生器研制

通过强流束传输理论及束包络数值计算方法的研究，开发用于强流束传输系统设计的计算机模拟辅助设计软件，完成强流中子发生器强流氘（D）束传输系统的物理设计。采用Poission/Superfish等软件工具，通过电磁场的数值模拟，完成束流传输元件及传输系统的物理及工程设计。通过永磁强流ECR离子源、强流加速管、高稳定度大功率高压电源及中频供电系统、磁流体密封水冷大面积高速旋转靶系统等关键基础问题和技术问题的理论和实验研究，研制一台强流D-T/D-D中子发生器，使D束流能量达到400keV，旋转靶上D分析束流强度大于30mA，靶上束斑直径小于20mm，D-T中子产额达到6.0e12 n/s,D-D中子产额达到6.0e10 n/s。

氘氚（D-T）和氘氘（D-D）聚变反应中子发生器是重要的加速器中子源，可广泛应用于核数据测量、核聚变堆基础研究、军工基础研究等各个方面。本项目的研究目标是，通过强流离子源、强流加速管、大功率高压电源及中频供电系统、磁流体密封水冷大面积高速旋转靶系统等关键基础问题和技术问题研究，研制一台强流D-T/D-D 中子发生器。截至2013年12月，已完成了强流离子源、强流加速管、400 kV大功率高压电源、磁流体密封水冷大面积高速旋转靶等关键元件和其它元件的研制，并完成了中子发生器的总装和真空调试。2014年5月前，将完成中频供电系统的研制，2014年12月前，将完成所有的中子出束调试工作，力争D-T 中子产额达到6.0e12 n/s,D-D 中子产额达到6.0e10 n/s。