采用分子束外延技术(MBE)技术,通过对应变自组装InAs/InGaAs量子点材料的生长和性质研究,在GaAs衬底上得到长波长的量子点材料。以此为有源区,研制出高质量的GaAs基1.3⒚琢孔拥慵す馄髌骷N庀送ㄑ短峁└咝阅堋⒌统杀镜募す馄髯榧俳畔⒏呖萍疾档姆⒄埂
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数据更新时间:2023-05-31
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