纳米晶态SiC薄膜微结构调整及其发光的表面等离激元增强

纳米晶态SiC具有短波长发光和皮秒级光衰减特性，在硅基光电器件等领域具有潜在应用前景。本项目拟采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术,进行纳米晶态SiC（nc-SiC）量子点薄膜及多层结构薄膜的制备，分析制约nc-SiC发光的典型缺陷和能带特征。通过实验参量的调整，并结合原位退火和后退火工艺，实现晶粒尺寸、密度及界面缺陷状态的调整，有效抑制薄膜中非辐射复合缺陷。另一方面，在nc-SiC薄膜表面引入金属纳米结构，利用表面等离激元增强薄膜发光效率。通过发光特性表征和理论模拟，分析表面等离激元与nc-SiC量子能级间的能量转移机制，研究增强nc-SiC薄膜发光的有效技术。.创新点：①利用螺旋波等离子体的独特性能，研究nc-SiC薄膜的制备工艺，实现nc-SiC薄膜的微结构调整；②引入表面等离激元增强薄膜发光机制，实现nc-SiC薄膜发光增强和特性调整。