纳米晶NiZn铁氧体织构薄膜的低温合成及应用基础研究

为适应微波器件集成化的需要，低温（T<1250℃）条件下制备尖晶石薄膜材料的技术受到广泛的关注。本项目在玻璃基片上分别采用甩涂法和稀溶液成膜法制取镍锌铁氧体薄膜，然后对两种方法制得的薄膜进行了比较，并讨论了缓冲剂在膜生长过程中的作用。成功地利用亚销酸盐和空气氧化Fe(2+)离子到Fe（3+）离子转变，实现织构型尖晶石NiZn膜的合成。薄膜饱和磁化强度达1200Gs，铁磁共振线宽小于100○c，晶粒尺寸小于100nm，薄膜具有沿（311）晶面择优生长的织构。基于NiZn膜研制出微带Y结型全磁基薄膜环形器，通过工艺反复探索，尺寸设计及磁场调节，微带与同轴头互联接等实验，最终证明以此薄膜为基础的低温集成器件在工艺上是完全可以实现的。这将对微波集成领域产生较大促进作用。