非磁激励庞磁电阻效应型不挥发存储器研究

本项目研究与CMOS兼容的硅基庞磁电阻（CMR）薄膜或CMR/铁电异质结制备工艺，通过微观磁畴观察和宏观电磁输运特性测试，研究电场或应力场等非磁激励下CMR材料的电阻变化规律，理解CMR薄膜中的电-磁或力-磁耦合机制，探索电场或应力场控制的CMR效应型非挥发存储机理，研制出一种有别于早期MRAM结构的非挥发、低功耗、高速、无串扰磁存储器。本项目直接面向SOC，将基础研究与器件制作相结合，从新材料、新原理、新结构入手，一方面将解决早期型MRAM不易克服的串扰难题，同时可望获得具有我国自主知识产权的非挥发存储器核心技术，从而有利于提高我国在芯片系统领域的整体创新能力。