ZnxCd1-xS/CdS分支型纳米异质结的可控合成与发光性能研究

纳米异质结集成纳米结构和异质结的优点，具有独特的光电特性。纳米尺度下的异质结效应是纳米器件研究必然面临的问题，本项目基于前期在低维体系和分支纳米结构的研究基础，进一步研究分支型纳米异质结的可控合成及其发光性质。以ZnS纳米线为模板，采用两步CVD法，控制生长条件调节ZnS的组分，合成具有多重功能的ZnxCd1-xS/CdS纳米异质结。利用近场光学扫描系统对单个纳米异质结进行光致发光和拉曼光谱研究，揭示光子或激子在异质结的传输过程中其能量、强度随空间位置的变化规律，实现一维纳米异质结的光波导特性。利用光刻技术(含激光直写技术)构建纳米器件，研究单个纳米异质结的电致发光行为；结合I-V特性，研究纳米器件的光发射机理，并与光致发光比较，探索影响电致发光的因素；研究发光强度、峰位、半高宽与外加电压的依赖关系，实现电驱动下高效率、低能耗的纳米发光器件，为将纳米异质结应用于新型LED、激光器奠定基础。

纳米尺度下的异质结效应是纳米器件研究必然面临的问题，本项目基于前期在低维体系和分支纳米结构的研究基础，进一步研究分支型纳米异质结的可控合成及其发光性质。(1)、以ZnS纳米线为模板，采用两步CVD制备方法，合成具有多重功能的ZnxCd1-xS/CdS纳米异质结。(2)、利用近场光学扫描系统，研究单个纳米异质结的光致发光性质，揭示光子或激子在异质结的传输过程中的变化规律，实现一维纳米异质结的光波导特性。(3)、利用光刻技术构建纳米器件，研究单个纳米异质结的输运特性，光响应性能等。实现高效率、低能耗的纳米光电子器件，为将纳米异质结应用于新型光晶体管、光探测器奠定基础。