锑基III-V族化合物孪晶超格子纳米线的液相控制制备及相关电学性质研究

基本信息
批准号:21901004
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:25.00
负责人:钱银银
学科分类:
依托单位:安徽工程大学
批准年份:2019
结题年份:2022
起止时间:2020-01-01 - 2022-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:
关键词:
锑基IIIV族化合物纳米线孪晶超格子晶体生长电学性质
结项摘要

During the preparation of Sb-based III-V compound nanowires, the often occurred randomly distributed twin defects and stacking faults result in a polytypic, or other uncontrolled crystal structure, which have been shown to modify the electronic band structure leading to significant discrepancies in optical band gap values and exhibit higher resistivity that is detrimental to carrier transport with enormous disadvantages for future nanowire-based electronic device applications. To solve this question, a notion was built for preparing the AlSb and GaSb etal with potential applications in many fields as the target Sb-based III-V compound nanowires, which will be carried out in certain solvents with effective metal sources with equivalent reactivity. By selectively tuning the reaction parameters including the amounts of metal sources, reaction temperature and the type of coordination agents, which can be shown to controlthe thermodynamics and kinetics of the growth interface of crystal based on the solution reaction system, leading to fabricating highly reproducible twin defects and stacking faults to form the twinning superlattices. Furthermore, studying the relationship between the electronic properties and the twinning superlattices structure in the Sb-based III-V compound nanowires, which is expected to provide theoretical and technical support for the fabrication of nanowire-based electronic devices with excellent properties.

在锑基III-V族化合物纳米线的制备过程中极易出现随机分布的孪晶面或堆垛层错,导致目标产物中出现多晶以及其他不可控的晶体结构,这使得材料的电子能带结构与其本征光学带隙值产生较大差异,同时增大的电阻率阻碍了载流子的输运,这显然对其构筑的电子器件的后续应用极为不利。针对这一问题,本项目以锑化镓、锑化铝等具有潜在应用价值的锑基III-V族化合物纳米线作为目标产物,选取活性相当的金属前驱源,在一定的溶剂存在条件下,通过改变金属前驱源的用量、反应温度以及配位剂种类等反应参数,调控液相反应体系中晶体生长界面的热力学与动力学因素,从而控制目标产物中孪晶面和堆垛层错呈周期性分布形成孪晶超格子结构;并研究锑基III-V族化合物纳米线中与孪晶超格子结构密切相关的电学性质,为构筑性能优越的纳米线电子器件提供技术支撑与理论指导。

项目摘要

申请人在锑基III-V族孪晶超晶格纳米结构的温和液相制备及其相关电学性能研究方面取得了以下成果:(1)探究了InSb超晶格纳米线表面自氧化现象的产生原因,并通过构筑单根纳米线场效应晶体管,测试其载流子行为,并证明表面氧化层对材料的电学性能产生重要影响;(2)将温和液相制备方法进行拓展,设计并建立三元锑基合金纳米结构的温和液相合成方法,实现AgSbTe2纳米立方体的液相控制制备,并构筑简单光电探测器件,展现出良好的光探测性能;(3)建立和发展了一种TiO2/CdS/ZnS多层异质结构的构筑方法,实现其在液相体系中的可控制备。该结构可作为活性催化剂应用于光电催化体系,并显示出优良的催化活性和稳定性;(4)建立了Te/Sb2Te3分层异质结在温和液相反应体系中的一步合成方法,该结构可用于柔性光电探测器的组装,并展现出优良的光电探测性能。申请人在SCI期刊发表学术论文4篇,申请发明专利2项,获批安徽省重点实验室开放课题1项。本项目旨在进一步理解液相合成体系中特定晶体结构的形成原理,并探究这种特定晶体结构与其光、电性能之间的联系。

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

农超对接模式中利益分配问题研究

农超对接模式中利益分配问题研究

DOI:10.16517/j.cnki.cn12-1034/f.2015.03.030
发表时间:2015
2

生物炭用量对东北黑土理化性质和溶解有机质特性的影响

生物炭用量对东北黑土理化性质和溶解有机质特性的影响

DOI:10.19336/j.cnki.trtb.2020112601
发表时间:2021
3

环境信息披露会影响分析师盈余预测吗?

环境信息披露会影响分析师盈余预测吗?

DOI:
发表时间:2017
4

高庙子钠基膨润土纳米孔隙结构的同步辐射小角散射

高庙子钠基膨润土纳米孔隙结构的同步辐射小角散射

DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.2019.10.13
发表时间:2019
5

不同pH值下锑(V)对大麦根伸长的毒性及其生物配体模型的构建

不同pH值下锑(V)对大麦根伸长的毒性及其生物配体模型的构建

DOI:10.7524/AJE.1673-5897.20200216001
发表时间:2020

钱银银的其他基金

相似国自然基金

1

III-V族半导体纳米晶的可控制备及其性质研究

批准号:51072067
批准年份:2010
负责人:解仁国
学科分类:E0207
资助金额:37.00
项目类别:面上项目
2

锑基化合物/复合物微纳米材料的可控制备及相关特性研究

批准号:51772049
批准年份:2017
负责人:周静
学科分类:E0208
资助金额:60.00
项目类别:面上项目
3

异步叠轧制备超细孪晶铜的组织控制及形成机制研究

批准号:50804018
批准年份:2008
负责人:王军丽
学科分类:E0414
资助金额:20.00
项目类别:青年科学基金项目
4

可控III-V族纳米线结构生长机理和特异光电性质研究

批准号:11334008
批准年份:2013
负责人:陈效双
学科分类:A2004
资助金额:325.00
项目类别:重点项目