强脉冲辐射场作用二氧化硅----硅结构感生界面态和等效应

测量并分析强光子流和强电子束与SiO2--Si结构相互作用的微观机制（剂量分布，电离缺陷和感生界面态）。运用非平衡态统计物理和混沌理论方法研究两种强射线辐照感生界面态的等效应和界面态纯化过程中的复杂性。本项目在实验室模拟强辐射环境研究电子器件抗核加固有重要应用价值。对半导体材料在极端非线性辐射场中物理化学状态特性研究有重要意义。