高质量氧化锌单晶薄膜的界面工程和能带工程及其光电子器件应用
基本信息
批准号：50532090
项目类别：重点项目
资助金额：110.00
负责人：杜小龙
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：2005
结题年份：2009
起止时间：2006-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：周岳亮,程波林,张青哲,梅增霞,张希清,姚志刚,曾兆权,袁洪涛,董靖
关键词：
p型掺杂ZnO分子束外延界面工程能带工程
结项摘要
利用分子束外延技术系统研究硅、蓝宝石、砷化镓等衬底上ZnO薄膜的畴匹配外延生长模式、极性选择机制以及微结构特征，开发出基于独特衬底表面与界面工程的高质量单极性薄膜的生长工艺；研究极性表面的稳定性原理以及与金属或导电氧化物膜的界面结构和接触特性，开发出良好欧姆接触与稳定肖特基接触的制备工艺。研究基于新型ZnO基合金薄膜的能带工程，探索非平衡生长条件下MgZnO、CaZnO、CdZnO以及CaMgZn
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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