基于InGaN/GaN多量子阱的场效应发光晶体管

本项目提出了研制InGaN/GaN发光二极管串接金属半导体场效应晶体管的新型发光晶体管。包括用于电子发射的n型区，电流控制作用的低浓度n型GaN场效应原理的栅极区，产生空穴的p型区，电子和空穴结合的多量子阱有源区组成。.本项目与传统发光二极管的区别是增加了电压控制端，与普通场效应晶体管的不同之处在于具有发光功能。对发光二极管控制实现了由电流改为电压控制，主要用途是制造LED显示屏幕、LCD显示背光、大功率灯具与路灯、半导体照明灯具等时节省了专用控制电路器件，最重要特点是适合在半导体照明无线应用中节省电路控制器件。.本项目的研究内容是利用新型MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长LED结构的外延片，在高浓度的n型层，利用离子刻蚀台面和槽形结构，低温二次生长低浓度n型栅区，再利用平面工艺制作相应的具有肖特基接触的栅极电极、欧姆接触的源极电极和漏极电极，形成InGaN/GaN材料发光晶体管。