柔性铁电存储结构的研制及表征

近年来信息技术的飞速发展对电子器件提出了更高更迫切的要求，在这一背景下，柔性电子器件受到越来越多的关注。在全有机柔性电子器件中，有机晶体管和有机显示技术正日趋成熟并已投放市场，然而柔性非易失性存储技术尚未突破，仍是阻碍全有机柔性电子器件真正商品化应用的瓶颈之一。正是基于这一背景，我们提出了本课题的研究内容。本课题申请旨在研制柔性铁电存储结构，表征并改善其存储性能和电学稳定性。拟研制两类柔性铁电存储结构：容变和场效应管存储结构；在此基础上用P(VDF-TrFE)/PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)二元铁电复合膜替代单一的P(VDF-TrFE)铁电膜，并优化结构参数，以改善存储结构的存储性能和电学稳定性；研究基板弯曲程度对存储结构存储性能和电学性能的影响；对存储结构进行电学失效分析，探讨影响器件性能的各影响因素，从而进一步优化参数，提高其存储性能并延长其寿命。

本课题旨在研制柔性铁电存储结构，并表征其电学特性，尤其强调电学稳定性的研究。主要研究内容包括: 1) 基于氧化物半导体、有机半导体和硅纳米膜以及有机半导体，研制铁电容变和场效应管存储结构；2) 制备P(VDF-TrFE)/PMMA二元铁电复合膜，以替代单纯的P(VDF-TrFE)膜，提高器件性能；3) 研究基板弯曲对器件性能的影响；4) 器件电学失效分析，研究了铁电存储器件的数据保持和电疲劳性能。