含氮硅单晶热处理时浅施主的产生和消失机理研究

对含氮Cz硅单晶作不同温度、不同时间的热处理，通过对样品电阻率的测试，常温红外振动谱测氮氧含量和低温远红外光谱的观测，研究了含氮C8硅单晶中两和稳定性不同的含氮浅施主（NOSD和NOTD）的产生和消失机制。对氮保护Cz硅单晶和含氮Cz硅单晶的退火性质作了对比研究，表明NOSD和NOTD也可在氮保护退火的Cz硅单晶样品中出现，并且具有与含氮硅单晶中相似的退火性质。